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存儲技術的革命性突破我國首款相變存儲器芯片研制成功

更新時間:2018-03-19 12:28:43 來源：qugla.com 編輯：本站編輯　已被瀏覽 次 查看評論
張家界旅游網 公眾微信號 新華社上海4月17日電（沈從樂 羅爭光）記者17日從中國科學院上海微系統與信息技術研究所獲悉，我國第一款具有自主知識產權的相變存儲器（PCRAM）芯片研制成功，打破了存儲器芯片生產技術長期被國外壟斷的局面，產業(yè)化前景可觀。
　　據專家介紹，相比于傳統存儲器利用電荷形式進行存儲，相變存儲器主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導電性差異實現存儲，被稱為是“操縱原子排列而實現存儲”的新型存儲器。
　　中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員、PCRAM研究項目負責人宋志棠表示，PCRAM相變存儲器不僅綜合了目前半導體存儲器市場上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲器的優(yōu)良特性，而且還具有微縮性能優(yōu)越、非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、數據穩(wěn)定性強、功耗低等諸多優(yōu)勢，被認為是下一代非揮發(fā)存儲技術的最佳解決方案之一。
　　目前，英特爾、美光、三星等國際知名半導體公司均在PCRAM產業(yè)化進程中取得有效進展，其中美光有多款替代NOR　FLASH的產品，三星已研制出最大容量為512Mb的PCRAM試驗芯片，并投入量產，在手機存儲卡中開始應用。
　　上海微系統與信息技術研究所已制成的PCRAM試驗芯片存儲容量為8Mb，在8英寸硅片上的每一塊存儲芯片，存儲單元成品率達99%以上。經語音演示，已證實該芯片可實現讀、寫、擦的存儲器全部功能。截至2010年底，該款PCRAM相變存儲器已經獲得50多項發(fā)明專利授權，150多項專利公開，相關專利分布涵蓋從材料、結構工藝、設計到測試的芯片生產全部流程。專家表示，此款PCRAM芯片將可取代NOR　FLASH等傳統存儲器，廣泛應用于手機存儲、射頻識別等多種消費型電子產品中。
　　宋志棠介紹說，我國半導體存儲器市場規(guī)模目前已接近1800億元，但由于長期缺乏具有自主知識產權的制造技術，國內存儲器生產成本極為高昂。“PCRAM相變存儲器自主研制成功，使我國的存儲器芯片生產真正擺脫國外的技術壟斷。”他表示，該款PCRAM相變存儲器預計將于今年年內投入量產，“我們計劃在10年內，將中國的存儲器自給率提高到60%。” 張家界旅游網

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